图书介绍

电可改写非挥发存储器PDF|Epub|txt|kindle电子书版本网盘下载

于宗光，郝跃著著
出版社：北京：国防工业出版社
ISBN：7118027677
出版时间：2002
标注页数：227页
文件大小：7MB
文件页数：249页
主题词：半导体存储器

PDF下载

点此进入-本书在线PDF格式电子书下载【推荐-云解压-方便快捷】直接下载PDF格式图书。移动端-PC端通用
种子下载[BT下载速度快]温馨提示：（请使用BT下载软件FDM进行下载）软件下载地址页直链下载[便捷但速度慢] [在线试读本书] [在线获取解压码]

点击复制MD5值：9db26c96b15c58e4f0f565b152cb1a29

下载说明

电可改写非挥发存储器PDF格式电子书版下载

下载的文件为RAR压缩包。需要使用解压软件进行解压得到PDF格式图书。

点击复制85GB完整离线版磁力链接到迅雷FDM等BT下载工具进行下载详情点击-查看共享计划

建议使用BT下载工具Free Download Manager进行下载,简称FDM(免费,没有广告,支持多平台）。本站资源全部打包为BT种子。所以需要使用专业的BT下载软件进行下载。如BitComet qBittorrent uTorrent等BT下载工具。迅雷目前由于本站不是热门资源。不推荐使用！后期资源热门了。安装了迅雷也可以迅雷进行下载！

（文件页数要大于标注页数，上中下等多册电子书除外）

注意：本站所有压缩包均有解压码： 点击下载压缩包解压工具

图书目录

第一章电可改写集成电路简介1

1.1 EEPROM技术简介1

1.2 EEPROM的发展概况2

1.EEPROM发展历史2

2.EEPROM技术的发展3

3.EEPROM存储量的发展4

4.EEPROM存储单元面积的变化4

1.串行EEPROM5

1.3 EEPROM的分类5

2.并行EEPROM9

3.加密型EEPROM11

4.各种EEPROM的性能比较14

1.4 flash memory15

1.flash memory的特点15

2.flash memory与EEPROM的异同16

1.5 电可擦除可编程逻辑器件(PEELD)17

1.器件结构17

3.宏单元结构18

2.与逻辑阵列18

4.输出类型19

5.输出使能19

6.设计加密19

1.6 FRAM20

第二章 EEPROM单元结构的变革及发展方向24

2.1 EEPROM结构的分类24

1.SIMOS结构24

3.NAMIS结构25

2.DIFMOS结构25

2.2 浮栅结构27

2.3 EEPROM单元结构的变革方向29

1.工艺简化29

2.集成度提高31

3.性能提高32

第三章 FLOTOX EEPROM单元设计技术35

3.1 FLOTOX EEPROM单元的工作原理35

3.2 FLOTOX EEPROM单元的设计理论36

3.3 FLOTOX EEPROM单元的优化设计39

3.4 FLOTOX EEPROM的I-V模型44

1.亚阈值区45

2.非饱和区46

3.饱和区46

3.5 FLOTOX EEPROM单元的测试技术46

1.阈值电压46

2.I-V特性47

第四章 EEPROM的电路设计技术49

4.1 存储阵列设计49

4.2 擦/写电场设计50

4.3 升压电路设计53

1.改进的电压倍增器模型53

2.升压电路设计56

4.4 输入保护电路设计58

1.常规MOS保护电路58

2.正负输入保护电路方案59

3.R2/(R1+R2)的选取59

1.概述62

2.存储阵列62

4.5 EEPROM电路设计举例62

3.电路设计63

4.版图设计64

4.6 EEPROM的PCM设计技术65

1.概述65

2.PCM内容65

3.各模块功能65

5.1 概述73

5.2 样品的制备及测量方法73

第五章 EEPROM中隧道氧化层的可靠性研究73

5.3 高场应力对C-V、I-V特性的影响74

1.高场应力对C-V特性的影响74

2.高场应力对I-V特性的影响78

3.分析与讨论82

4.结论86

5.4 隧道氧化层的电击穿特性87

1.实验结果87

2.击穿机理88

3.提高隧道氧化层质量的措施93

6.2 理论分析94

1.氧化层有效陷阱电荷密度94

6.1 引言94

第六章 FLOTOX EEPROM M0S管的可靠性研究94

2.陷阱电荷对亚阈值摆幅的影响95

3.氧化层体陷阱电荷和界面陷阱电荷参数的确定96

6.3 实验方法98

6.4 实验结果及讨论99

1.栅电流密度随流量的变化99

2.亚阈值摆幅与老化时间的关系99

3.阈值电压与老化时间的关系101

4.体陷阱电荷与界面陷阱电荷102

第七章 EEPROM单元的耐久性研究106

7.1 陷阱电荷对氧化层注入电场的影响106

1.陷阱电荷远离注入界面106

2.陷阱电荷靠近注入界面111

3.多种陷阱电荷对注入电场的影响114

7.2 陷阱电荷对EEPROM阈值电压的影响119

7.3 实验及结果121

7.4 分析及讨论129

1.负陷阱电荷的产生现象129

4.高温烘烤对耐久性的影响130

3.阈值电压的突变现象130

2.正陷阱电荷的产生现象130

5.擦/写过程中陷阱电荷的产生动力学131

第八章 EEPROM单元的保持特性研究133

8.1 概述133

8.2 加电保持特性133

8.3 零偏压下的保持特性137

9.2 影响EEPROM可靠性的因素143

1.本征电荷陷阱143

9.1 概述143

第九章 EEPROM的失效机理与考核143

2.本征失效机理145

9.3 EEPROM的典型失效曲线147

1.实验方法147

2.失效曲线147

3.失效机理分析149

9.4 EEPROM早期失效剔除及考核方法153

1.读保持特性的电加速实验预测154

2.质量控制154

3.老化156

2.寿命预测157

9.5 一种EEPROM保持特性考核的标准157

1.实验157

3.保持特性考核标准159

第十章 EEPROM的误差校正技术及成品率161

10.1 EEPROM的阈值电压窗口退化模型161

10.2 Q-CELL及其应用163

1.Q-CELL原理163

2.Q-CELL的应用165

1.汉明码纠错167

10.3 EEPROM的误差校正技术167

2.SEDC168

3.ECC电路169

10.4 EEPROM的成品率分析170

1.EEPROM的成品率分析170

2.采用冗余技术提高成品率170

10.5 提高EEPROM可靠性的其他措施174

1.单元优化设计174

2.工艺改进174

11.1 flash memory的工作原理176

1.单元的工作原理176

第十一章 flash memory技术176

2.电路工作原理180

11.2 “与非”结构的flash memory181

11.3 flash memory中的误差校正(ECC)技术184

11.4 探亚微米flash memory187

1.压缩的快速灵敏度放大器187

2.内部参考电压电路188

11.5 嵌入式flash memory189

12.1 市场192

第十二章电可改写集成电路的应用192

12.2 EEPROM在IC卡上的应用196

1.概述196

2.IC卡的分类198

3.存储卡198

4.加密卡199

5.加密算法211

6.CPU卡214

12.3 flash memory的应用216

12.4 EEPLD与FRAM的应用217

参考文献218