半导体芯片制造技术PDF|Epub|txt|kindle电子书版本网盘下载

半导体芯片制造技术PDF格式电子书版下载

注意：本站所有压缩包均有解压码： 点击下载压缩包解压工具

第1章 半导体芯片制造概述1

1.1半导体工业发展概述1

1.2半导体材料基础3

1.2.1半导体材料的基本性质3

1.2.2半导体材料分类4

1.2.3晶体6

1.3半导体生产污染控制9

1.3.1污染物的种类9

1.3.2污染物引起的问题9

1.3.3超净间的建设10

1.3.4超净间标准11

1.3.5超净间的维护12

1.4纯水的制备12

1.4.1纯水在半导体生产中的应用12

1.4.2离子交换制备纯水13

1.4.3水的纯度测量15

小结15

第2章 多晶半导体的制备16

2.1工业硅的生产16

2.1.1硅的简介16

2.1.2工业硅的制备16

2.2三氯氢硅还原制备高纯硅17

2.2.1原料的制备17

2.2.2三氯氢硅的合成及提纯18

2.2.3三氯氢硅还原20

2.2.4还原尾气干法分离回收21

2.3硅烷热分解法制备高纯硅21

2.3.1硅烷概述21

2.3.2硅烷的制备及提纯22

2.3.3硅烷热分解22

小结23

第3章 单晶半导体的制备24

3.1单晶硅的基本知识24

3.1.1晶体的熔化和凝固24

3.1.2结晶过程的宏观特征25

3.1.3结晶过程热力学25

3.1.4晶核的形成25

3.1.5二维晶核的形成27

3.1.6晶体的长大27

3.2直拉法制备单晶硅的设备及材料28

3.2.1直拉法制备单晶硅的设备28

3.2.2直拉单晶硅前的材料准备31

3.2.3直拉单晶硅前的材料清洁处理34

3.3直拉单晶硅的工艺流程35

3.3.1装炉前的准备35

3.3.2装炉35

3.3.3熔硅35

3.3.4引晶36

3.3.5缩颈37

3.3.6放肩和转肩37

3.3.7等径生长37

3.3.8收尾38

3.3.9停炉38

3.4拉单晶过程中的异常情况及晶棒检测38

3.4.1拉单晶过程中的异常情况38

3.4.2晶棒检测40

3.4.3硅晶体中杂质的均匀性分析41

3.5悬浮区熔法制备单晶硅45

3.6化合物半导体单晶的制备47

3.6.1 Ⅲ- V族化合物半导体单晶的制备47

3.6.2 Ⅱ -Ⅵ族化合物半导体单晶的制备49

小结50

第4章 晶圆制备51

4.1晶圆制备工艺51

4.1.1截断51

4.1.2直径滚磨51

4.1.3磨定位面52

4.1.4切片52

4.1.5磨片54

4.1.6倒角55

4.1.7抛光55

4.2晶圆的清洗、质量检测及包装58

4.2.1晶圆的清洗58

4.2.2晶圆的质量检测59

4.2.3包装60

4.2.4追求更大直径晶圆的原因60

小结61

第5章 薄膜制备62

5.1氧化法制备二氧化硅膜62

5.1.1二氧化硅的性质62

5.1.2二氧化硅的作用63

5.1.3热氧化法制备二氧化硅膜63

5.1.4二氧化硅膜的检测65

5.2化学气相沉积法制备薄膜67

5.2.1化学气相沉积概述67

5.2.2化学气相沉积的主要反应类型67

5.2.3化学气相沉积反应的激活能69

5.2.4几种薄膜的CVD制备70

5.3物理气相沉积法制备薄膜71

5.4金属化及平坦化72

5.4.1金属化72

5.4.2平坦化74

小结76

第6章 金属有机物化学气相沉积77

6.1金属有机物化学气相沉积概述77

6.1.1金属有机物化学气相沉积简介77

6.1.2金属有机物化学气相沉积反应机理77

6.2金属有机物化学气相沉积设备80

6.2.1金属有机物化学气相沉积设备的组成80

6.2.2典型设备的介绍81

6.3金属有机物化学气相沉积工艺控制和半导体薄膜的生长85

6.4金属有机物化学气相沉积生长的半导体薄膜质量检测87

6.4.1 X射线衍射87

6.4.2光致发光87

6.4.3原子力显微镜88

6.4.4扫描电子显微镜89

6.4.5 Hall效应测试89

小结89

第7章 光刻90

7.1光刻概述90

7.1.1光刻的特点及要求90

7.1.2光刻胶91

7.1.3光刻板93

7.1.4曝光方式93

7.2光刻工艺96

7.2.1光刻前的晶圆处理96

7.2.2涂光刻胶97

7.2.3前烘98

7.2.4对准99

7.2.5曝光100

7.2.6显影102

7.2.7检查104

7.2.8坚膜105

7.2.9刻蚀105

7.2.10去胶105

小结106

第8章 刻蚀107

8.1刻蚀技术概述107

8.1.1刻蚀技术的发展107

8.1.2刻蚀工艺107

8.1.3刻蚀参数108

8.1.4超大规模集成电路对图形转移的要求110

8.2干法刻蚀111

8.2.1刻蚀作用112

8.2.2电势分布113

8.3等离子体刻蚀114

8.3.1等离子体的形成114

8.3.2常见薄膜的等离子刻蚀115

8.3.3等离子体刻蚀设备119

8.4反应离子刻蚀与离子束溅射刻蚀120

8.4.1反应离子刻蚀120

8.4.2离子束溅射刻蚀121

8.5湿法刻蚀122

8.5.1硅的湿法刻蚀122

8.5.2二氧化硅的湿法刻蚀123

8.5.3氮化硅的湿法刻蚀124

8.5.4铝的湿法刻蚀124

小结125

第9章 掺杂126

9.1热扩散126

9.1.1扩散概述126

9.1.2扩散形式126

9.1.3常用杂质的扩散方法127

9.1.4杂质扩散后结深和方块电阻的测量128

9.2离子注入技术131

9.2.1离子注入技术概述131

9.2.2离子注入设备132

9.2.3注入离子的浓度分布与退火134

小结136

第10章 封装137

10.1封装概述137

10.1.1封装的作用137

10.1.2封装的分类137

10.1.3常见的封装形式138

10.2封装工艺139

10.2.1封装工艺流程139

10.2.2封装材料140

10.3互连方法142

10.3.1引线键合142

10.3.2载带自动键合144

10.3.3倒装芯片146

10.4先进封装方法149

10.4.1多芯片组件149

10.4.2三维封装149

10.4.3芯片尺寸封装150

10.4.4系统级封装151

小结151

参考文献152