图书介绍

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半导体集成电路
  • 余宁梅,杨媛编著 著
  • 出版社: 北京:科学出版社
  • ISBN:9787030317926
  • 出版时间:2011
  • 标注页数:299页
  • 文件大小:45MB
  • 文件页数:313页
  • 主题词:半导体集成电路-高等学校-教材

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图书目录

第1章 绪论1

1.1 半导体集成电路的概念1

1.1.1 半导体集成电路的基本概念1

1.1.2 半导体集成电路的分类2

1.2 半导体集成电路的发展过程4

1.3 半导体集成电路的发展规律5

1.4 半导体集成电路面临的问题6

1.4.1 深亚微米集成电路设计面临的问题与挑战6

1.4.2 深亚微米集成电路性能面临的问题与挑战7

1.4.3 深亚微米集成电路工艺面临的问题与挑战7

技术展望:摩尔定律的扩展7

习题8

第2章 双极集成电路中的元件形成及其寄生效应9

2.1 双极集成电路的制造工艺9

2.1.1 双极型晶体管的单管结构和工作原理9

2.1.2 双极集成晶体管的结构与制造工艺12

2.2 理想本征双极晶体管的埃伯斯-莫尔(EM)模型18

2.2.1 一结两层二极管(单结晶体管)的EM模型18

2.2.2 两结三层三极管(双结晶体管)的EM模型19

2.2.3 三结四层三极管(多结晶体管)的EM模型20

2.3 集成双极晶体管的有源寄生效应21

2.3.1 npn管工作于正向工作区和截止区的情况22

2.3.2 npn管工作于反向工作区的情况22

2.3.3 npn管工作于饱和区的情况23

2.3.4 降低寄生pnp管的方法23

技术展望:SiGe异质结双极晶体管23

习题24

第3章 MOS集成电路中的元件形成及其寄生效应25

3.1 MOSFET晶体管的制造工艺25

3.1.1 MOSFET晶体管器件结构与工作原理25

3.1.2 MOSFET的制造工艺26

3.2 CMOS集成电路的制造工艺28

3.2.1 p阱CMOS工艺29

3.2.2 n阱CMOS工艺36

3.2.3 双阱CMOS工艺36

3.3 Bi-CMOS集成电路的制造工艺38

3.3.1 以CMOS工艺为基础的Bi-CMOS工艺39

3.3.2 以双极型工艺为基础的Bi-CMOS工艺40

3.4 MOS集成电路中的有源寄生效应41

3.4.1 场区寄生MOSFET41

3.4.2 寄生双极型晶体管42

3.4.3 CMOS集成电路中的闩锁效应43

技术展望:绝缘体上硅(SOI)技术44

习题45

第4章 集成电路中的无源元件46

4.1 集成电阻器46

4.1.1 双极集成电路中的常用电阻46

4.1.2 MOS集成电路中常用的电阻56

4.2 集成电容器58

4.2.1 双极集成电路中常用的集成电容器58

4.2.2 MOS集成电路中常用的电容器60

4.3 互连线61

4.3.1 多晶硅互连线62

4.3.2 扩散层连线62

4.3.3 金属互连线62

技术展望:铁电电容器64

习题65

第5章 MOS晶体管基本原理与MOS反相器电路66

5.1 MOS晶体管的电学特性66

5.1.1 MOS晶体管基本电流方程的导出66

5.1.2 MOS晶体管I-V特性68

5.1.3 MOS晶体管的阈值电压和导电特性70

5.1.4 MOS晶体管的衬底偏压效应72

5.1.5 MOS晶体管的二级效应73

5.1.6 MOS晶体管的电容76

5.2 MOS反相器80

5.2.1 反相器的基本概念80

5.2.2 E/R型nMOS反相器(电阻负载型MOS反相器)82

5.2.3 E/E型nMOS反相器(增强型nMOS负载反相器)83

5.2.4 E/D型nMOS反相器(耗尽型nMOS负载反相器)86

5.2.5 CMOS反相器87

技术展望:3D晶体管101

习题101

第6章 CMOS静态门电路103

6.1 基本CMOS静态门103

6.1.1 CMOS与非门103

6.1.2 CMOS或非门104

6.2 CMOS复合逻辑门106

6.2.1 异或门106

6.2.2 其他复合逻辑门107

6.3 MOS管的串并联特性108

6.3.1 晶体管串联的情况108

6.3.2 晶体管并联的情况109

6.3.3 晶体管尺寸的设计109

6.4 CMOS静态门电路的功耗111

6.4.1 CMOS静态逻辑门电路功耗的组成111

6.4.2 降低电路功耗的方法115

6.5 CMOS静态门电路的延迟118

6.5.1 延迟时间的估算方法118

6.5.2 缓冲器最优化设计123

6.6 功耗和延迟的折中125

技术展望:减少短脉冲干扰信号功耗126

习题126

第7章 传输门逻辑和动态逻辑电路128

7.1 基本的传输门128

7.1.1 nMOS传输门129

7.1.2 pMOS传输门130

7.1.3 CMOS传输门131

7.2 传输门逻辑电路131

7.2.1 传输门逻辑电路举例131

7.2.2 传输门逻辑的特点133

7.3 基于二叉判决图BDD的传输门逻辑生成方法134

7.4 基本动态CMOS逻辑电路138

7.4.1 基本CMOS动态逻辑电路的工作原理139

7.4.2 动态逻辑电路的优缺点140

7.5 传输门隔离动态逻辑电路141

7.5.1 传输门隔离动态逻辑电路工作原理142

7.5.2 传输门隔离多级动态逻辑电路的时钟信号142

7.5.3 多米诺逻辑144

7.6 动态逻辑电路中存在的问题及解决方法147

7.6.1 电荷泄漏147

7.6.2 电荷共享148

7.6.3 时钟馈通149

7.6.4 体效应149

技术展望:如何选择逻辑类型150

习题151

第8章 时序逻辑电路153

8.1 电荷的存储机理153

8.1.1 静态存储机理153

8.1.2 动态存储机理154

8.2 电平敏感锁存器155

8.2.1 SR静态锁存器155

8.2.2 时钟脉冲控制SR静态锁存器157

8.2.3 CMOS静态逻辑结构D锁存器157

8.2.4 基于传输门多选器的D锁存器159

8.2.5 动态锁存器160

8.3 边沿触发寄存器161

8.3.1 寄存器的几个重要参数(建立时间、维持时间、传输时间)161

8.3.2 CMOS静态主从结构寄存器162

8.3.3 传输门多路开关型寄存器163

8.3.4 C2MOS寄存器167

8.4 其他类型寄存器169

8.4.1 脉冲触发锁存器169

8.4.2 灵敏放大器型寄存器170

8.4.3 灵敏放大器型寄存器170

8.5 带复位及使能信号的D寄存器173

8.5.1 同步复位D寄存器173

8.5.2 异步复位D寄存器173

8.5.3 带使能信号的同步复位D寄存器174

8.6 寄存器的应用及时序约束175

8.6.1 计数器175

8.6.2 时序电路的时序约束177

技术展望:异步数字系统180

习题180

第9章 MOS逻辑功能部件183

9.1 多路开关183

9.2 加法器和进位链185

9.2.1 加法器定义185

9.2.2 全加器电路设计187

9.2.3 进位链190

9.3 算术逻辑单元194

9.3.1 以传输门为主体的算术逻辑单元195

9.3.2 以静态逻辑门电路为主体的算术逻辑单元196

9.4 移位器197

9.5 乘法器200

技术展望:片上系统(SoC)技术203

习题204

第10章 半导体存储器207

10.1 存储器概述207

10.1.1 存储器的分类207

10.1.2 存储器的相关性能参数208

10.1.3 半导体存储器的结构209

10.2 非挥发性只读存储器209

10.2.1 ROM的基本存储单元210

10.2.2 MOS OR和NOR型ROM210

10.2.3 MOS NAND型ROM215

10.2.4 预充式ROM217

10.2.5 一次性可编程ROM218

10.3 非挥发性读写存储器218

10.3.1 可擦除可编程ROM218

10.3.2 电可擦除可编程ROM220

10.3.3 FLASH存储器224

10.4 随机存取存储器227

10.4.1 SRAM227

10.4.2 DRAM232

10.5 存储器外围电路234

10.5.1 地址译码单元234

10.5.2 灵敏放大器236

10.5.3 时序和控制电路238

技术展望:高密度存储器238

习题239

第11章 模拟集成电路基础241

11.1 模拟集成电路中的特殊元件241

11.1.1 MOS可变电容241

11.1.2 集成双极型晶体管244

11.1.3 集成MOS管246

11.2 MOS晶体管及双极晶体管的小信号模型247

11.2.1 MOS晶体管的小信号模型249

11.2.2 双极晶体管的小信号模型250

11.3 恒流源电路252

11.3.1 电流源252

11.3.2 电流基准电路257

11.4 基准电压源电路258

11.4.1 基准电压源的主要性能指标258

11.4.2 带隙基准电压源的基本原理259

11.5 单级放大器262

11.5.1 MOS集成电路中的单级放大器262

11.5.2 双极集成电路中的单级放大器266

11.6 差动放大器271

11.6.1 MOS差动放大器271

11.6.2 双极晶体管差动放大器276

技术展望:低压低功耗模拟集成电路技术279

习题280

第12章 D/A及A/D变换器281

12.1 D/A变换器基本概念281

12.1.1 D/A变换器基本原理281

12.1.2 D/A变换器的分类283

12.1.3 D/A变换器的技术指标283

12.2 D/A变换器的基本类型284

12.2.1 电流定标D/A变换器284

12.2.2 电压定标D/A变换器287

12.2.3 电荷定标D/A变换器288

12.3 A/D变换器的基本概念289

12.3.1 A/D变换器基本原理289

12.3.2 A/D变换器的分类290

12.3.3 A/D变换器的主要技术指标290

12.4 A/D变换器的常用类型292

12.4.1 积分型A/D变换器292

12.4.2 逐次逼近式(SAR)A/D变换器293

12.4.3 ∑-△A/D变换器294

12.4.4 全并行ADC295

12.4.5 流水线A/D变换器295

技术展望:A/D变换器的发展方向296

习题297

参考文献299

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