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砷化镓肖特基势垒栅场效应晶体管译文集
  • 南京固体器件研究所编 著
  • 出版社:
  • ISBN:
  • 出版时间:1984
  • 标注页数:275页
  • 文件大小:5MB
  • 文件页数:278页
  • 主题词:

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图书目录

目录1

1.单极“场效应”晶体管1

2.GaAs场效应晶体管的分析模型与等效电路21

3.带状线GaAsMESFET的高频性能35

4.GaAsMESFET基本器件参数的确定45

5.微波GaAsMESFET的最佳噪声系数63

6.砷化镓场效应晶体管的噪声特征73

7.低噪声GaAsFET器件特性与材料质量的关系94

8.用于宽带低噪声放大器的微波GaAsMESFET的设计100

9.大功率GaAsFET的设计理论110

10.Ku波段低噪声GaAsFET及其特性121

11.砷化镓功率MESFET:设计、制造和性能131

12.考虑电子速度饱和区的砷化镓肖特基势垒栅场效应晶体管的设计理论147

13.宽带GaAs场效应晶体管功率放大器的设计158

14.与稳定高场畴有关的GaAsMESEFT的设计准则165

15.一种模拟超短栅MESFET的数值方法176

16.亚微米栅场效应晶体管的噪声模型184

17.包含非稳态电子动力学效应的亚微米栅FET的模型193

18.亚微米沟道FET中过冲电子速度的物理解释202

19.GaAs双栅MESFET的微波宽带模型215

20.微波频率GaAs双栅肖特基势垒相FET227

21.双栅MESFET可变增益恒定输出功率加大器238

22.GaAsMESFET的可靠性研究244

23.功率GaAs场效应晶体管的可靠性255

24.砷化镓场效应晶体管的故障分析及可靠性改善266

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