新型电子薄膜材料PDF|Epub|txt|kindle电子书版本网盘下载

新型电子薄膜材料PDF格式电子书版下载

注意：本站所有压缩包均有解压码： 点击下载压缩包解压工具

第1章 绪论1

1.1 薄膜的定义及特性1

1.1.1 薄膜的定义1

1.1.2 薄膜材料的分类3

1.1.3 薄膜材料的特殊性6

1.1.4 薄膜结构缺陷13

1.1.5 薄膜的光学特性15

1.2 薄膜材料研究现状19

1.3 新型薄膜材料发展前景22

参考文献25

第2章 新型半导体薄膜材料25

2.1 概述26

2.2 硅基非晶态半导体薄膜27

2.2.1 非晶半导体薄膜材料结构特点27

2.2.2 非晶态半导体薄膜材料的制备方法28

2.2.3 非晶态半导体薄膜材料的能带模型35

2.2.4 非晶态半导体薄膜材料电学特性41

2.2.5 非晶态半导体的光学性质53

2.2.6 非晶半导体薄膜材料在光电器件方面的独特性能61

2.2.7 非晶半导体薄膜材料质量的研究近况61

2.3 多晶硅和微晶硅薄膜64

2.3.1 μc-Si:H薄膜64

2.3.2 多晶Si薄膜70

2.4 a-Si:H太阳电池81

2.4.1 单晶太阳电池与非晶硅太阳电池的优缺点81

2.4.2 a-Si:H太阳电池的工作原理和参数83

2.4.3 a-Si:H太阳电池的结构和性能87

2.4.4 a-Si:H太阳电池的制造94

2.4.5 提高a-Si:H太阳电池效率和降低成本的一些措施96

2.5 薄膜晶体管与大面积液晶显示器102

2.5.1 a-Si:H TFT的结构、制备和工艺102

2.5.2 a-Si:H TFT工作特性106

2.5.3 新型μc-Si:H/a-Si:H双有源层结构薄膜晶体管107

2.5.4 a-Si:H TFT在有源矩阵中的应用110

参考文献117

第3章 金刚石薄膜及相关材料119

3.1 概述119

3.2 金刚石薄膜120

3.2.1 金刚石薄膜的结构121

3.2.2 金刚石薄膜的优异特性123

3.2.3 金刚石薄膜的制备方法128

3.2.4 强碳化物形成元素衬底上金刚石薄膜的生长特性及过渡层的研究137

3.2.5 织构金刚石薄膜的制备143

3.3 类金刚石膜(DLC)146

3.3.1 类金刚石薄膜的相结构147

3.3.2 类金刚石膜的制备方法147

3.3.3 类金刚石薄膜直流电导特性研究152

3.3.4 类金刚石膜的光学特性157

3.3.5 类金刚石薄膜的力学特性161

3.3.6 类金刚石膜的其他特性162

3.3.7 类金刚石膜的应用163

3.4 立方氮化硼薄膜165

3.4.1 氮化硼的4种异构体166

3.4.2 立方氮化硼的性质和应用前景169

3.4.3 立方氮化硼薄膜的制备方法171

3.4.4 氮化硼薄膜的n型掺杂176

3.4.5 立方氮化硼薄膜的研究现状及面临的问题182

3.5 β-C3N4薄膜184

3.5.1 β-CNx薄膜的原子结构185

3.5.2 β-C3N4薄膜的制备与特性表征187

3.5.3 βC3N4的应用前景190

3.6 BCN薄膜191

3.6.1 BCN薄膜结构191

3.6.2 薄膜制备192

3.6.4 BCN薄膜光学带隙195

3.6.3 BCN薄膜的电学性质195

3.7.1 氮化物、磷化物、硼化物及氧化物196

3.7 其他硬质薄膜196

3.7.2 硬质薄膜材料的物性199

3.7.3 硬质复合薄膜材料203

3.7.4 固体润滑膜203

3.8 宽带隙薄膜材料场电子发射研究的现状和问题206

3.8.1 引言206

3.8.2 金刚石薄膜的场电子发射208

3.8.3 类金刚石(DLC)薄膜的场发射211

3.8.4 其他宽带隙材料薄膜的场发射213

3.8.5 存在的问题214

参考文献214

第4章 纳米薄膜材料与可见光发射218

4.1 概述218

4.1.1 半导体纳米材料的特殊性质及研究的意义218

4.2.1 发光机理及发光类型220

4.1.2 半导体量子点220

4.2 发光机理及Si发光面临的问题220

4.2.2 可见发光材料222

4.2.3 人眼的视感度与LED的视感度223

4.2.4 Si发光面临的问题223

4.3 Ge/Si超晶格和量子阱结构材料224

4.3.1 Ge/Si超晶格225

4.3.2 Si/Sil-xGex超晶格225

4.3.3 Si/SiO2超晶格225

4.4 Ge/SiO2、Si/SiO2纳米膜发光226

4.4.1 Ge纳米发光膜的制备227

4.4.2 Ge纳米晶的发光特性228

4.4.3 Ge纳米晶发光机理229

4.4.4 硅纳米晶激光器初视端倪230

4.5 多孔硅发光232

4.5.1 多孔硅的结构234

4.5.2 多孔硅的光学性质235

4.5.3 多孔硅的形成机理238

4.5.4 多孔硅的制作及其钝化240

4.6 GaN基薄膜材料发光241

4.6.1 氮化镓基材料的特点及其应用241

4.6.2 氮化镓基材料的制备246

4.6.3 氮化镓基器件249

4.7 薄膜发光显示器(Ⅱ-Ⅵ族化合物)253

4.7.1 薄膜电致发光显示器件的制备方法及结构254

4.7.2 薄膜电致发光的物理过程255

4.7.3 薄膜电致发光材料257

4.7.4 薄膜电致发光器件260

4.8 硅中掺饵(Er)的发光特性及机理261

4.8.1 Er在Si中的原子构型262

4.8.2 Er在Si中的电子态262

4.8.3 掺Er硅的发光机理264

4.8.4 掺铒硅发光管与Si集成电路的集成268

4.9 ZnO量子点--半导体激光器新材料268

4.9.1 ZnSe基激光器存在的问题268

4.9.2 ZnO材料的基本特性269

4.9.3 ZnO的外延生长271

4.9.4 ZnO量子点的光学特性272

参考文献273

第5章 硫系及其他多元化合物薄膜275

5.1 概述275

5.2 硫系化合物半导体275

5.2.1 硫系化合物半导体材料的形成能力275

5.2.2 硫系化合物材料制备方法277

5.2.3 硫系化合物掺杂的特点279

5.2.4 硫系非晶态半导体的电学性质279

5.2.5 硫系半导体的光致结构变化效应283

5.3.1 CIS和CIGS薄膜太阳电池286

5.3 CulnSe2(CIS)薄膜及薄膜太阳能电池286

5.3.2 制备CIGS薄膜过程中掺镓技术288

5.4 CdTe太阳电池289

5.4.1 多晶薄膜CdTe太阳电池的出现与发展290

5.4.2 大面积多晶薄膜CdTe太阳电池290

5.5 薄膜静电成像--复印鼓291

5.5.1 静电成像原理292

5.5.2 静电成像的基本过程293

5.5.3 薄膜静电成像材料294

5.5.4 复印机296

5.6 纳米Sn太阳能吸热膜296

5.6.1 太阳能吸热膜的基本原理296

5.6.2 纳米Se吸热膜的制备方法和特性297

参考文献299

6.1 概述300

第6章 介质薄膜材料300

6.2 电介质薄膜及应用301

6.2.1 氧化物电介质薄膜的制备及应用301

6.2.2 低介电常数含氟氧化硅薄膜307

6.3 铁电薄膜及应用310

6.3.1 铁电薄膜的结构制备和特性311

6.3.2 铁电薄膜的应用318

6.4 压电薄膜及应用321

6.4.1 压电薄膜的制造技术323

6.4.2 压电薄膜的压电性能328

6.4.3 压电薄膜的应用331

参考文献333

第7章 高温超导薄膜材料335

7.1 概述335

7.2 高温超导薄膜制备方法338

7.2.1 对制膜技术的要求338

7.2.2 HTSC薄膜制备方法340

7.2.3 阻挡层技术343

7.3.1 高温超导薄膜材料的结构344

7.3 高温超导薄膜材料的结构和性质344

7.3.2 高温超导薄膜材料的性质347

7.4 高温超导薄膜材料的应用351

7.4.1 引言351

7.4.2 高温超导的瑟夫森结技术及其应用353

7.4.3 高温超导探测器的研究进展与应用前景359

7.4.4 高温超导薄膜无源器件及应用365

参考文献367

第8章 巨磁阻薄膜材料368

8.1 概述368

8.2 磁性多层膜的巨磁阻效应369

8.2.1 GMR效应的发现和简单原理369

8.2.2 GMR及层间耦合的振荡现象370

8.2.3 GMR与多层膜结构的依赖关系371

8.3 颗粒膜的巨磁阻效应372

8.2.4 GMR材料的应用372

8.3.1 颗粒膜及其制备373

8.3.2 颗粒膜的巨磁电阻效应374

8.3.3 间断膜和混合膜的巨磁电阻效应376

8.4 自旋阀多层膜的巨磁阻效应378

8.4.1 自旋阀多层结构和巨磁阻效应378

8.4.2 磁控溅射法制备自旋阀多层膜379

8.5 掺杂稀土锰氧化物的巨磁电阻效应380

8.5.1 掺杂稀土锰氧化物的巨磁电阻效应381

8.5.2 掺杂稀土锰氧化物材料的结构和早期研究结果384

8.5.3 锰氧化物的巨磁电阻机制研究385

参考文献387

第9章 其他薄膜材料389

9.1 概述389

9.2 超晶格和量子阱薄膜材料389

9.2.1 超晶格概念的提出、发展及其意义389

9.2.2 不同类型的半导体超晶格材料及其主要特征391

9.2.3 半导体超晶格材料的生长技术398

9.2.4 超晶格微结构材料的主要性能及应用399

9.3 有机电致发光薄膜402

9.3.1 有机电致发光的特点402

9.3.2 器件结构和制备403

9.3.3 有机电致发光膜材料405

9.3.4 蓝色有机EL电致发光406

9.4 透明导电膜(TCO)及其在电子工业方面的应用408

9.4.1 透明导电膜的种类与特性408

9.4.2 透明导电膜的制备方法409

9.4.3 透明导电膜的用途411

9.5 窄带隙红外光导薄膜材料(HgCdTe)411

9.5.1 红外探测器与HgCdTe411

9.5.2 HgCdTe薄膜材料的制备方法和特性412

9.6 变色薄膜材料415

9.6.1 电致变色膜416

9.6.2 光学变色膜417

9.6.3 热致变色膜420

9.7 防伪技术和光学防伪膜421

9.7.1 防伪技术的现状与薄膜防伪技术的发展421

9.7.2 光学防伪膜的基本原理423

9.7.3 整膜防伪膜的设计与工艺425

9.7.4 碎膜防伪技术要点426

9.7.5 防伪膜防伪效果的加强426

参考文献427

第10章 薄膜制备的新技术和检测手段428

10.1 概述428

10.2 溅射法428

10.2.1 基本原理429

10.2.2 射频溅射431

10.2.3 磁控溅射432

10.3.1 MW-ECR原理434

10.3 微波电子回旋共振化学气相沉积434

10.3.2 MW-ECR-CVD的特点435

10.3.3 MW-ECR-CVD系统436

10.4 分子束外延(MBE)437

10.4.1 基本概念437

10.4.2 MBE生长原理及方法438

10.4.3 MBE生长的特点440

10.5 金属有机化学气相沉积441

10.5.1 MOCVD法原理441

10.5.2 MOCVD制膜系统441

10.5.3 MOCVD法的特点443

10.6 直流电弧等离子体喷射CVD法444

10.7 溶胶-凝胶法445

10.7.1 概述445

10.7.2 溶液-凝胶方法制备薄膜工艺446

10.8.1 概述448

10.8 电沉积448

10.8.2 电沉积的特点449

10.9 脉冲激光沉积法449

10.9.1 PLD的基本原理及物理过程450

10.9.2 PLD技术的特点452

10.10 触媒化学气相沉积453

10.11 薄膜检测手段454

10.11.1 薄膜厚度测量454

10.11.2 扫描电子显微镜(SEM)分析457

10.11.3 原子力显微镜(AFM)分析459

10.11.4 X射线衍射(XRD)分析460

10.11.5 傅立叶变换红外光谱(FTIR)分析461

10.11.6 激光拉曼光谱(Raman)分析462

10.11.7 X射线光电子能谱(XPS)分析464

10.11.8 俄歇电子能谱(AES)分析465

10.11.9 二次离子质谱(SIMS)分析467

10.11.10 卢瑟福背散射(RBS)分析469

参考文献469