图书介绍
半导体集成电路 下PDF|Epub|txt|kindle电子书版本网盘下载
- 上海无线电十九厂，复旦大学四一工厂编 著
- 出版社： 上海：上海人民出版社
- ISBN：15·4·186
- 出版时间：1971
- 标注页数：354页
- 文件大小：14MB
- 文件页数：363页
- 主题词：
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半导体集成电路 下PDF格式电子书版下载
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图书目录
目录1
第十二章 晶体管的高频特性和噪声1
12-1晶休管的特征频率2
12-1-1特征频率的意义2
12-1-2讯号的时间延迟4
12-1-3特征频率公式10
12-1-4集电极串联电阻的计算方法13
12-1-5影响特征频率的因素17
12-1-6怎样提高特征频率20
12-1-7集成电路中隔离电容对特征频率的影响23
12-2晶体管的最高振荡频率25
12-2-1晶体管的功率增益26
12-2-2最高振荡频率27
12-2-3减小基极电阻的方法28
12-3晶体管的噪声30
12-3-1噪声和噪声系数30
12-3-2晶体管噪声的来源32
第十三章 二极管和晶体管的开关特性35
13-1二极管和晶体管的开关作用35
13-1-1二极管的开关作用36
13-1-2晶体管的开关作用38
13-1-3晶体管的截止态和饱和态39
13-1-4开关电路对二极管和晶体管的要求42
13-2二极管的开关时间42
13-2-1二极管的反向恢复过程43
13-2-2电荷贮存效应45
13-2-3如何减小二极管的反向恢复时间47
13-3晶体管的开关时间49
13-3-1晶体管的开关过程49
13-3-2延迟过程52
13-3-3上升过程54
13-3-4电荷贮存效应和贮存时间56
13-3-5下降过程58
13-3-6开关时间公式59
13-3-7提高开关速度的途径65
13-4开关管的正向压降和饱和压降69
13-4-1二极管的正向压降69
13-4-2晶体管的共发射极正向压降70
134-3晶体管的共发射极饱和压降72
13-5-1二极管的几种型式74
13-5逻辑集成电路中的二极管74
13-5-2金属-半导体二极管80
第十四章 逻辑集成电路原理85
141逻辑操作和逻辑门电路86
14-1-1“与”逻辑操作和“与”门电路86
14-1-2“或”逻辑操作和“或”门电路88
14-1-3“非”逻辑操作和“非”门电路89
14-2二极管-晶体管逻辑集成电路91
14-2-1典型二极管-晶体管逻辑集成电路91
14-2-2改进型二极管-晶体管逻辑集成电路94
14-3晶体管-晶体管逻辑集成电路100
14-3-1晶体管-晶体管逻辑集成电路工作原理101
14-3-2改进型晶体管-晶体管逻辑集成电路105
14-3-3抗饱和晶体管-晶体管逻辑集成电路107
14-4发射极耦合逻辑集成电路111
14-4-1发射极耦合逻辑集成电路工作原理111
14-4-2典型发射极耦合逻辑集成电路114
14-4-3改进型发射极耦合逻辑集成电路119
14-55JZ12型晶体管-晶体管逻辑集成电路特性分析121
14-5-1静态特性分析122
14-5-2瞬态特性分析137
14-5-3电路设计分析150
14-6典型发射极耦合逻辑集成电路特性分析153
14-6-1静态特性分析154
14-6-2瞬态特性分析158
14-6-3电路设计分析161
14-7其他逻辑集成电路介绍164
14-7-1可变阈值逻辑集成电路165
14-7-2低功耗逻辑集成电路166
14-9触发器介绍168
14-9-1置位-复位触发器171
14-9-2主-从触发器173
第十五章 逻辑集成电路的测试178
15-1-1逻辑门电路参数的测试原理和方法179
15-1饱和型逻辑门电路参数的测试179
15-1-2初测184
15-1-3测试结果分析188
15-2触发器参数的测试195
15-3-1测试方法200
15-3发射极耦合逻辑门电路参数的测试200
15-3-2测试结果分析204
第十六章 线性集成电路原理207
16-1线性集成电路的特点207
16-2差分放大电路210
16-2-1差分放大电路的基本形式210
16-2-2差分放大电路的改进形式和偏置电路214
16-2-3最简单的实用差分放大电路218
16-3直流放大器219
16-3-1直流放大器的漂移问题219
16-3-2直流放大器中的缓冲电路220
16-3-3直流放大器中的电平配置电路221
16-3-45G922直流运算放大器224
16-3-5中增益直流放大器226
16-4宽带放大器227
16-4-1影响放大器高频特性的因素228
16-42扩展放大器频带宽度的方法229
16-4-3多级放大器的频带宽度及提高带宽的办法234
16-4-45G722负反馈宽带放大器239
16-4-5BG302负反馈宽带差分放大器240
第十七章 线性集成电路的测试243
17-1宽带放大器参数的测试243
17-1-1静态功耗Pj244
17-1-2功率增益KP245
17-1-3频带宽度△f247
17-1-4频率响应不平坦度ε(％)249
17-1-5噪声系数Nzs249
17-1-6宽带放大器参数和工作条件的关系252
17-2直流运算放大器参数的测试255
17-2-1静态功耗Pj257
17-2-2输入失调电压Vrs和输入失调电流Irs257
17-2-3开环电压增益Kvk和动态范围(Vrmn,Vcmn)262
17-2-4共模抑制比Ngyb264
17-2-5输入阻抗Rsr和输出阻抗Rsc266
17-2-6零点漂移(温度漂移系数NTP，时间漂移系数Ntp)267
18-1集成电路设计一般考虑269
18-1-1集成电路设计的特点269
第十八章 集成电路的设计269
18-1-2p-n结隔离中材料的选择270
18-2集成电路中的晶体管273
18-2-1集成电路中晶体管的设计273
18-2-2集成电路中晶体管的有源寄生效应281
18-2-3p-n-p晶体管286
183集成电路中的电阻器289
18-3-1扩散电阻的特性289
18-3-2扩散电阻器的图形设计294
18-3-3沟道电阻295
18-4集成电路中的电容器296
18-4-1扩散电容器296
18-4-2金属-氧化物半导体电容器299
185集成电路的内部布线300
18-6集成电路的设计原则和设计实例302
18-6-1设计电路版的基本原则302
18-6-2逻辑集成电路设计实例304
18-6-3线性集成电路设计实例309
第十九章 金属-氧化物-半导体逻辑集成电路313
19-1金属-氧化物-半导体场效应晶体管313
19-1-1半导体表面的反型层315
19-1-2金属-氧化物-半导体本场效应晶体管的工作原理316
19-1-3n沟道增强型金属-氧化物-半导体场效应晶体管的特性318
19-1-4p沟道增强型金属-氧化物-半导体场效应晶体管的特性323
19-2金属-氧化物-半导体逻辑集成电路325
19-2-1金属-氧化物-半导体场效应晶体管在逻辑集成电路中的应用325
19-2-2金属-氧化物-半导体门电路331
19-3金属-氧化物-半导体逻辑集成电路的设计及制造工艺333
19-3-1金属-氧化物-半导体逻辑集成电路的制造工艺333
19-3-2金属-氧化物-半导体逻辑集成电路的设计338
第二十章 封装方法及可靠性分析341
20-1集成电路的封装方法341
20-1-1TO-5型封装342
20-1-2扁平封装343
20-1-3两种封装方法的比较346
20-2集成电路可靠性的分析347
20-2-1可靠性的意义347
20-2-2引起集成电路失效的因素348
20-2-3解决早期失效的老化试验351
20-2-4测定可靠性水平的试验353
附录八 5J型电路直流参数测试仪线路图355
附录九 5J型电路平均延迟时间测试仪线路图356
附录十 5J型电路直流参数初测仪线路图356
14-8各种逻辑门电路比较1167