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半导体硅锗中的离子注入
  • （美）迈耶（J.W.Mayer等著；余怀之等译 著
  • 出版社： 北京：科学出版社
  • ISBN：15031·244
  • 出版时间：1979
  • 标注页数：290页
  • 文件大小：13MB
  • 文件页数：301页
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图书目录

目录1

第一章 离子注入的一般特点1

1.1 射程分布3

1.2 晶格畸变5

1.3 晶格定位和电学性质6

1.4 器件应用9

第二章 注入原子的射程和射程分布10

2.1 引言10

2.2 射程分布的实验方法15

2.2.1 放射性示踪法15

2.2.2 散射法16

2.2.3 霍耳效应和电导率测量17

2.2.4 结-染色法17

2.3.1 实验工作19

2.3 在无定形靶中的射程分布19

2.2.5 电容-电压法19

2.3.2 理论概述22

2.3.3 修正因子28

2.3.4 Rp值——实验和理论的比较34

2.3.5 射程岐离35

2.3.6 注入原子的平均浓度39

2.3.7 在有氧化层衬底中的射程40

2.3.8 可变能量注入40

2.3.9 质子和氦离子射程41

2.4 在单晶中的射程分布42

2.4.1 一般原理42

2.4.2 沟道束的射程分布46

2.4.3 最大射程Rmax53

2.4.4 Rmax中的Z？振荡54

2.4.5 硅中的射程分布57

2.5 增强型扩散63

2.5.1 辐照增强型扩散64

2.5.2 间隙扩散65

2.5.3 在后轰击退火过程中的增强型扩散69

第三章 晶格畸变和辐照损伤71

3.1 引言71

3.2 理论考虑72

3.2.1 位移过程的有效能量72

3.2.2 位移原子的平均数77

3.2.3 位移原子的空间分布79

3.3 实验技术83

3.3.1 光学效应83

3.3.2 电子衍射和电子显微术研究85

3.3.3 X射线透射技术92

3.3.4 离子相互作用和电子发射94

3.3.5 沟道效应测量99

3.4 结果和讨论105

3.4.1 室温下产生的晶格畸变106

3.4.2 晶格畸变的深度分布113

3.4.3 衬底温度对晶格畸变的影响117

3.4.4 晶格畸变的退火行为122

3.5 离子注入与快中子辐照的比较128

3.5.1 晶格畸变129

3.5.2 电学和光学特性133

第四章 注入原子的晶格定位136

4.1 引言136

4.2 沟道效应技术137

4.2.1 一般原理137

4.2.3 反向散射测量147

4.2.2 单晶体的对准147

4.2.4 核反应技术158

4.3 晶格定位实验概述161

4.3.1 观测总论161

4.3.2 观测结果梗概165

4.3.3 注入原子行为的简单图象169

4.4 晶格定位的详细结果171

4.4.1 第Ⅴ族元素注入硅中171

4.4.2 第Ⅲ族元素注入硅中175

4.4.3 其他族离子的注入180

4.4.4 向锗中注入181

4.4.5 第Ⅲ族和第Ⅴ族混合注入硅和锗中183

4.4.6 注入样品的后轰击185

4.5.1 一般模型191

4.5 影响晶格定位因素的讨论191

4.5.2 注入反应193

4.5.3 荷电状态效应195

第五章 硅的霍耳效应和薄层电阻率的测量（与O．J．197

Marsh合作）197

5.1 引言197

5.2 霍耳效应测量的解释203

5.3 载流子迁移率与掺杂剂电离能210

5.4 退火特性215

5.4.1 一般考虑215

5.4.2 退火特性的温度区间218

5.4.3 间隙成分226

5.4.4 注入温度的影响231

5.4.5 沟道的影响234

5.5 扩散效应234

5.6 对电学特性的限制237

5.7 不常用掺杂剂元素的分析240

第六章 器件研究和应用（R．W．Bower）244

6.1 引言244

6.2 离子注入产生的掺杂层的性质245

6.3 离子注入在平面结构上的应用250

6.3.1 平面工艺过程的讨论250

6.3.2 离子注入掺杂在平面工艺过程上的应用251

6.3.3 栅-掩模离子注入的MOSFET254

6.3.4 栅-掩模离子注入MOS技术在集成电路和大规255

模阵列上的应用255

6.3.5 离子注入技术在MOSFET上的进一步应用261

6.3.6 双极晶体管262

6.3.7 离子注入掺杂在平面集成电路工艺上的应用263

6.4.2 超突变可控电容-电压二极管265

6.4 离子注入在非平面工艺过程器件上的应用265

6.4.1 点接触二极管265

6.4.3 P-n结IMPATT二极管（碰撞雪崩渡越时间二极管）266

6.4.4 半导体核粒子探测器268

6.5 离子注入器件应用的分析269

6.6 结论270

附录 低Z兆电子伏的粒子在金刚石型晶格中的沟道特271

性271

A.1 概论271

A.2 实验272

A.3 理论274

A.4 实验和理论的比较276

参考文献280

词汇索引290

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