图书介绍
CMOS数字集成电路 分析与设计 第4版PDF|Epub|txt|kindle电子书版本网盘下载
- （美）康松默著 著
- 出版社： 北京：电子工业出版社
- ISBN：9787121249877
- 出版时间：2015
- 标注页数：474页
- 文件大小：89MB
- 文件页数：486页
- 主题词：CMOS电路－电路分析－高等学校－教材；CMOS电路－电路设计－高等学校－教材
PDF下载
下载说明
CMOS数字集成电路 分析与设计 第4版PDF格式电子书版下载
下载的文件为RAR压缩包。需要使用解压软件进行解压得到PDF格式图书。建议使用BT下载工具Free Download Manager进行下载,简称FDM(免费,没有广告,支持多平台）。本站资源全部打包为BT种子。所以需要使用专业的BT下载软件进行下载。如BitComet qBittorrent uTorrent等BT下载工具。迅雷目前由于本站不是热门资源。不推荐使用！后期资源热门了。安装了迅雷也可以迅雷进行下载！
（文件页数 要大于 标注页数，上中下等多册电子书除外）
注意：本站所有压缩包均有解压码： 点击下载压缩包解压工具
图书目录
第1章 概论1
1.1 发展历史1
1.2 本书的目标和结构3
1.3 电路设计举例6
1.4 VLSI设计方法综述12
1.5 VLSI设计流程14
1.6 设计分层15
1.7 规范化、模块化和本地化的概念18
1.8 VLSI的设计风格18
1.9 设计质量26
1.10 封装技术28
1.11 计算机辅助设计技术30
习题31
第2章 MOS场效应管的制造34
2.1 概述34
2.2 制造工艺的基本步骤34
2.3 CMOS n阱工艺41
2.4 CMOS技术的发展45
2.5 版图设计规则50
2.6 全定制掩膜版图设计52
习题55
第3章 MOS晶体管57
3.1 金属-氧化物-半导体（MOS）结构57
3.2 外部偏置下的MOS系统60
3.3 MOS场效应管（MOSFET）的结构和作用62
3.4 MOSFET的电流-电压特性69
3.5 MOSFET的收缩和小尺寸效应76
3.6 MOSFET电容99
习题106
第4章 用SPICE进行MOS管建模109
4.1 概述109
4.2 基本概念109
4.3 一级模型方程111
4.4 二级模型方程114
4.5 三级模型方程117
4.6 先进的MOSFET模型118
4.7 电容模型118
4.8 SPICE MOSFET模型的比较121
附录 典型SPICE模型参数122
习题127
第5章 MOS反相器的静态特性128
5.1 概述128
5.2 电阻负载型反相器133
5.3 MOSFET负载反相器140
5.4 CMOS反相器148
附录 小尺寸器件CMOS反相器的尺寸设计趋势161
习题163
第6章 MOS反相器的开关特性和体效应166
6.1 概述166
6.2 延迟时间的定义167
6.3 延迟时间的计算168
6.4 延迟限制下的反相器设计174
6.5 互连线电容的估算181
6.6 互连线延迟的计算190
6.7 CMOS反相器的开关功耗196
附录 超级缓冲器的设计202
习题204
第7章 组合MOS逻辑电路208
7.1 概述208
7.2 带伪nMOS（pMOS）负载的MOS逻辑电路208
7.3 CMOS逻辑电路217
7.4 复杂逻辑电路222
7.5 CMOS传输门232
习题239
第8章 时序MOS逻辑电路244
8.1 概述244
8.2 双稳态元件的特性244
8.3 SR锁存电路248
8.4 钟控锁存器和触发器电路252
8.5 钟控存储器的时间相关参数257
8.6 CMOS的D锁存器和边沿触发器258
8.7 基于脉冲锁存器的钟控存储器262
8.8 基于读出放大器的触发器263
8.9 时钟存储器件中的逻辑嵌入264
8.0 时钟系统的能耗及其节能措施265
附录266
习题269
第9章 动态逻辑电路272
9.1 概述272
9.2 传输晶体管电路的基本原理273
9.3 电压自举技术281
9.4 同步动态电路技术283
9.5 动态CMOS电路技术287
9.6 高性能动态逻辑CMOS电路290
习题302
第10章 半导体存储器305
10.1 概述305
10.2 动态随机存储器（DRAM）309
10.3 静态随机存储器（SRAM）329
10.4 非易失存储器340
10.5 闪存349
10.6 铁电随机存储器（FRAM）355
习题357
第11章 低功耗CMOS逻辑电路362
11.1 概述362
11.2 功耗综述362
11.3 电压按比例降低的低功率设计371
11.4 开关激活率的估算和优化379
11.5 减小开关电容383
11.6 绝热逻辑电路385
习题389
第12章 算术组合模块390
12.1 概述390
12.2 加法器390
12.3 乘法器398
12.4 移位器401
习题402
第13章 时钟电路与输入／输出电路406
13.1 概述406
13.2 静电放电（ESD）保护406
13.3 输入电路408
13.4 输出电路和L（di／dt）噪声412
13.5 片内时钟生成和分配415
13.6 闩锁现象及其预防措施424
附录 片上网络：下一代片上系统（SoC）的新模式428
习题431
第14章 产品化设计433
14.1 概述433
14.2 工艺变化433
14.3 基本概念和定义434
14.4 实验设计与性能建模439
14.5 参数成品率的评估443
14.6 参数成品率的最大值447
14.7 最坏情况分析448
14.8 性能参数变化的最小化452
习题454
第15章 可测试性设计457
15.1 概述457
15.2 故障类型和模型457
15.3 可控性和可观察性460
15.4 专用可测试性设计技术460
15.5 基于扫描的技术462
15.6 内建自测（BIST）技术464
15.7 电流监控IDDQ检测466
习题467
参考文献468
物理和材料常数473
公式474