微波氮化镓功率器件等效电路建模理论与技术PDF|Epub|txt|kindle电子书版本网盘下载

微波氮化镓功率器件等效电路建模理论与技术PDF格式电子书版下载

注意：本站所有压缩包均有解压码： 点击下载压缩包解压工具

第1章 引言1

1.1背景1

1.2 微波宽禁带半导体器件进展3

1.3微波宽禁带半导体器件建模进展16

1.4本书内容24

第2章 微波氮化镓器件及其建模理论26

2.1器件结构26

2.2 GaN材料特性28

2.2.1 GaN外延生长技术简介30

2.2.2 GaN HEMT材料生长关键技术30

2.3 GaN HEMT器件工艺38

2.3.1 GaN HEMT源漏欧姆接触38

2.3.2 GaN HEMT器件钝化工艺优化41

2.3.3场板技术42

2.4 GaN HEMT工作原理48

2.5 GaN HEMT器件特性53

2.5.1自热效应54

2.5.2 陷阱效应63

2.6器件建模理论66

2.6.1模型分类及建模方法66

2.6.2 模型准确性71

2.7本章小结73

第3章 微波GaN器件小信号等效电路模型74

3.1引言74

3.2 19元件微波GaN器件小信号等效电路模型74

3.2.1模型拓扑74

3.2.2 模型参数提取75

3.2.3模型验证88

3.3 110GHz超宽带GaN HEMT小信号模型92

3.3.1基于TRL方法的晶体管去嵌92

3.3.2 超宽带小信号模型拓扑及其参数提取96

3.4本章小结102

第4章 微波GaN器件大信号模型研究103

4.1环境温度相关大信号模型103

4.1.1微波GaN HEMT器件热传递理论及其建模技术103

4.1.2高低温GaN HEMT大信号模型拓扑及建模流程110

4.1.3温度相关非线性漏源电流Ids模型113

4.1.4高低温热仿真分析114

4.1.5非线性栅电容模型120

4.1.6非线性栅电流模型121

4.1.7微波GaN HEMT热电大信号模型验证121

4.2非线性热阻及其建模研究125

4.2.1模型拓扑及建模流程125

4.2.2改进的漏源电流Ids模型126

4.2.3自热效应研究127

4.2.4陷阱效应研究129

4.2.5大信号模型验证132

4.3微波场板GaN HEMT大信号模型分析135

4.4温度相关源／漏接入阻抗对微波GaN器件特性影响138

4.4.1温度相关Rs和Rd提取138

4.4.2 GaN HEMT器件热电网络参数提取142

4.5典型脉冲条件下热阻变化规律的研究155

4.5.1 GaN HEMT器件脉冲工作状态155

4.5.2脉冲偏置条件下热阻特性157

4.6本章小结161

第5章GaN HEMT大信号可缩放模型及其应用162

5.1不同尺寸器件的热阻特性164

5.2大信号热电缩放模型167

5.3大信号模型缩放规则170

5.4大信号缩放模型验证172

5.4.1直流I-V特性验证172

5.4.2小信号特性验证175

5.4.3大信号特性验证176

5.5大信号可缩放模型在功率放大电路中的应用181

5.5.1 C波段高功率GaN HEMT功率放大器MMIC设计181

5.5.2基于谐波控制技术的微波GaN内匹配功率管192

5.6本章小结201

第6章 统计模型202

6.1高效率模型参数提取技术206

6.1.1小信号模型高效率参数提取206

6.1.2大信号模型高效参数提取210

6.2基于小信号等效电路模型工艺统计分析219

6.3统计模型228

6.3.1小信号统计模型228

6.3.2 全参数大信号统计模型239

6.3.3统计模型在功率放大器中的应用239

6.3.4基于响应曲面法的统计模型建模方法247

6.4本章小结251

第7章 物理基大信号等效电路模型252

7.1表面势模型发展动态253

7.2基于表面势原理的等效电路建模260

7.3基于表面势模型工艺参数统计分析272

7.3.1工艺参数优化272

7.3.2工艺参数分析275

7.4新兴物理基等效电路模型281

7.4.1区域划分模型281

7.4.2基于虚拟源概念的电荷控制模型289

7.5本章小结295

第8章 结束语296

参考文献298

编后记317