图书介绍
半导体薄膜技术基础PDF|Epub|txt|kindle电子书版本网盘下载
- 李晓干，刘勐，王奇编著 著
- 出版社： 北京：电子工业出版社
- ISBN：9787121328800
- 出版时间：2018
- 标注页数：140页
- 文件大小：19MB
- 文件页数：149页
- 主题词：半导体薄膜技术－高等学校－教材
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图书目录
第1章 绪论1
本章小结5
习题6
第2章 硅单晶材料学7
2.1硅及其化合物的基本性质7
2.2硅的晶体结构13
2.3硅的生长加工方法16
2.4硅材料与器件的关系19
本章小结21
习题22
第3章 薄膜基础知识23
3.1薄膜的定义及应用23
3.2薄膜结构、缺陷及基本性质26
3.2.1薄膜的基本结构及缺陷26
3.2.2薄膜的基本性质29
3.3薄膜衬底材料的一般知识34
3.3.1玻璃衬底34
3.3.2陶瓷衬底35
3.3.3单晶体衬底36
3.3.4衬底清洗37
3.4薄膜的性能检测简介39
3.4.1薄膜的厚度检测39
3.4.2薄膜的可靠性42
本章小结43
习题43
第4章 氧化技术44
4.1二氧化硅（Si02）薄膜简介45
4.2氧化技术原理47
4.2.1热氧化技术的基本原理48
4.2.2水汽氧化49
4.2.3湿氧氧化工艺原理50
4.2.4 三种氧化工艺方法的优缺点51
4.3氧化工艺的一般过程52
4.4氧化膜质量评价56
4.4.1 SiO2薄膜表面观察法56
4.4.2 SiO2薄膜厚度的测量56
4.5热氧化过程中存在的一般问题分析59
4.5.1氧化层厚度不均匀59
4.5.2氧化层表面的斑点59
4.5.3氧化层的针孔59
4.5.4 Si02氧化层中的钠离子污染60
本章小结60
习题60
第5章 溅射技术62
5.1离子溅射的基本原理62
5.1.1溅射现象62
5.1.2溅射产额及其影响因素63
5.1.3选择溅射现象68
5.1.4溅射镀膜工艺69
5.2溅射工艺设备71
5.2.1直流溅射台72
5.2.2射频溅射台76
5.2.3磁控溅射77
5.3溅射工艺应用及工艺实例79
本章小结81
习题81
第6章 真空蒸镀技术82
6.1真空蒸镀技术简介82
6.2真空蒸镀工艺的相关参数84
6.2.1工艺真空度84
6.2.2饱和蒸气压86
6.2.3蒸发速率和沉积速率86
6.3真空蒸镀源87
6.4真空蒸镀设备88
6.4.1电阻加热式蒸镀机（蒸发机）90
6.4.2电子束蒸发台92
本章小结94
习题95
第7章 CVD技术96
7.1 CVD技术简介96
7.2常用CVD技术简介97
7.3低压化学气相沉积（LPCVD）101
7.4等离子体增强化学气相沉积（PECVD）105
7.5 CVD系统的模型及基本理论113
7.6 CVD工艺系统简介115
7.6.1 CVD的气体源系统116
7.6.2 CVD的质量流量控制系统116
7.6.3 CVD反应腔室内的热源117
本章小结117
习题117
第8章 其他半导体薄膜加工技术简介119
8.1外延技术119
8.1.1分子束外延（MBE）119
8.1.2液相外延（LPE）121
8.1.3气相外延（VPE）122
8.1.4选择外延（SEG）123
8.2离子束沉积和离子镀124
8.3电镀技术126
8.4化学镀129
8.5旋涂技术129
8.6溶胶-凝胶法131
本章小结132
习题132
参考文献134