图书介绍
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- 钱佑华，徐至中著 著
- 出版社： 北京：高等教育出版社
- ISBN：704006992X
- 出版时间：1999
- 标注页数：633页
- 文件大小：17MB
- 文件页数：645页
- 主题词：
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图书目录
第一章 晶态半导体中的电子能量状态1
1.1 在一维周期性势场中运动的电子波函数2
1.2 在一维周期性势场中运动电子的能量状态--Kronig-Penney模型6
1.3 紧束缚近似的能带表述和有效质量15
1.4 在三维周期性势场中运动的电子波函数与能量状态23
1.5 半导体的能带、满带、导带和能隙29
1.6 半导体中电子的速度与加速度以及空穴的概念33
1.7 半导体中的杂质能级，n型与p型半导体41
1.8 回旋共振与半导体的复杂能带49
第二章 半导体电子和空穴的平衡态统计分布60
2.1 状态密度61
2.2 费米分布函数和载流子密度的一般公式66
2.3 非简并情况下的费米能级和载流子密度72
2.4 杂质补偿83
2.5 重掺简并86
3.1 电导率与玻尔兹曼方程91
第三章 半导体的输运现象91
3.2 载流子的散射机构107
3.3 迁移率与温度的关系127
3.4 热载流子138
3.5 电子的谷间转移及Gunn效应150
3.6 霍尔效应156
3.7 磁阻168
3.8 热电效应177
第四章 外界作用引起额外载流子的行为185
4.1 额外载流子的注入与复合186
4.2 复合过程191
4.3 陷阱作用205
4.4 介电弛豫时间209
4.5 少子扩散211
4.6 漂移-扩散-复合方程及其解215
4.7 稳态建立过程中的少子运动219
4.8 双极扩散与丹倍电场226
4.9 光磁效应228
4.10 光致pn结非平衡231
第五章 半导体表面与界面234
5.1 半导体清洁表面的原子结构及表面电子态236
5.2 研究清洁表面的主要实验方法246
5.3 真实表面的Si-SiO2界面结构251
5.4 Si-SiO2界面的表面势255
5.5 研究半导体和绝缘体界面的MOS电容法270
第六章 金属-半导体接触、pn结、异质结、量子阱及超晶格294
6.1 金属-半导体接触的势垒模型296
6.2 接触势垒的整流理论317
6.3 金属-半导体二极管的电流特性331
6.4 势垒高度的测量336
6.5 pn结339
6.6 异质结367
6.7 量子阱与二维电子气386
6.8 多量子阱与超晶格404
第七章 半导体光谱427
7.1 介电响应的宏观理论428
7.2 半导体自由载流子和晶格振动的光响应443
7.3 半导体电子带间本征跃迁的量子理论457
7.4 激子状态和激子吸收光谱476
7.5 杂质吸收光谱494
7.6 半导体的发光光谱508
7.7 半导体的调制光谱546
7.8 拉曼散射和半导体的共振拉曼散射光谱560
7.9 半导体量子阱和超晶格的光谱577
附录1.1 绝热近似与单电子近似607
附录1.2 晶体中电子的速度618
附录1.3 有效质量近似622
附录3.1 多能谷旋转椭球面导带结构半导体的电子电导率计算627