图书介绍

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碳化硅晶体生长与缺陷
  • 施尔畏编著 著
  • 出版社: 北京:科学出版社
  • ISBN:9787030341280
  • 出版时间:2012
  • 标注页数:361页
  • 文件大小:87MB
  • 文件页数:381页
  • 主题词:硅酸盐矿物-晶体生长

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图书目录

1 碳化硅晶体的多型结构与表征1

1.1 晶体的多型1

1.2 碳化硅晶体的结构层与基本结构单元4

1.3 碳化硅晶体多型的共生与连生7

1.4 3C-SiC多型的结构9

1.5 2H-SiC多型的结构10

1.6 4H-SiC多型的结构12

1.7 6H-SiC多型的结构14

1.8 15R-SiC多型的结构15

1.9 碳化硅晶体多型结构参数的变化16

1.10 碳化硅晶体多型结构鉴别概述17

1.11 X射线衍射法鉴别碳化硅晶体多型结构18

1.12 高分辨率透射电子显微镜法鉴别碳化硅晶体多型结构27

1.13 吸收光谱法鉴别碳化硅晶体多型结构31

1.14 拉曼光谱法鉴别碳化硅晶体多型结构37

符号说明和注解53

2 碳化硅晶体的物理气相输运(PVT)法生长2.1 硅-碳二元体系和硅-碳-金属元素三元体系的相图75

2.2 固态碳化硅分解升华的热力学研究79

2.3 PVT法碳化硅晶体生长技术的发展历程84

2.4 PVT法碳化硅晶体生长系统概述89

2.5 PVT法碳化硅晶体生长模型研究96

2.6 PVT法碳化硅晶体生长系统的可控变量与间接变量108

2.7 PVT法碳化硅晶体生长系统变量之间的强耦合115

2.8 生长原料区温度场和碳化硅粉体的演变123

2.9 石墨坩埚生长腔内温度场的演变133

符号说明和注解140

3 气相组分和碳化硅晶体的生长机制175

3.1 气相组分概述175

3.2 PVT法碳化硅晶体生长的螺旋位错机制184

3.3 气相组分在PVT法碳化硅晶体生长研究中的地位203

3.4 纯硅气相组分Sim的稳定构型与能量214

3.5 纯碳气相组分Cn的稳定构型与能量219

3.6 硅碳气相组分SimCn的稳定构型与能量222

3.7 气相组分SimCn构型的转变230

3.8 气相组分SimCn的化学序236

3.9 气相组分SimCn的相互作用244

3.10 气相组分SimCn在生长界面上的结晶249

符号说明和注解260

4 碳化硅晶体的结晶缺陷277

4.1 碳化硅晶体结晶缺陷概述277

4.2 碳化硅晶片结晶质量的整体评价281

4.3 碳化硅晶片几何特性和表面加工质量的整体评价291

4.4 多型共生缺陷297

4.5 镶嵌结构缺陷307

4.6 堆垛层错322

4.7 孔道与微管道341

符号说明和注解346

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