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![碳化硅晶体生长与缺陷](https://www.shukui.net/cover/54/33804511.jpg)
- 施尔畏编著 著
- 出版社: 北京:科学出版社
- ISBN:9787030341280
- 出版时间:2012
- 标注页数:361页
- 文件大小:87MB
- 文件页数:381页
- 主题词:硅酸盐矿物-晶体生长
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图书目录
1 碳化硅晶体的多型结构与表征1
1.1 晶体的多型1
1.2 碳化硅晶体的结构层与基本结构单元4
1.3 碳化硅晶体多型的共生与连生7
1.4 3C-SiC多型的结构9
1.5 2H-SiC多型的结构10
1.6 4H-SiC多型的结构12
1.7 6H-SiC多型的结构14
1.8 15R-SiC多型的结构15
1.9 碳化硅晶体多型结构参数的变化16
1.10 碳化硅晶体多型结构鉴别概述17
1.11 X射线衍射法鉴别碳化硅晶体多型结构18
1.12 高分辨率透射电子显微镜法鉴别碳化硅晶体多型结构27
1.13 吸收光谱法鉴别碳化硅晶体多型结构31
1.14 拉曼光谱法鉴别碳化硅晶体多型结构37
符号说明和注解53
2 碳化硅晶体的物理气相输运(PVT)法生长2.1 硅-碳二元体系和硅-碳-金属元素三元体系的相图75
2.2 固态碳化硅分解升华的热力学研究79
2.3 PVT法碳化硅晶体生长技术的发展历程84
2.4 PVT法碳化硅晶体生长系统概述89
2.5 PVT法碳化硅晶体生长模型研究96
2.6 PVT法碳化硅晶体生长系统的可控变量与间接变量108
2.7 PVT法碳化硅晶体生长系统变量之间的强耦合115
2.8 生长原料区温度场和碳化硅粉体的演变123
2.9 石墨坩埚生长腔内温度场的演变133
符号说明和注解140
3 气相组分和碳化硅晶体的生长机制175
3.1 气相组分概述175
3.2 PVT法碳化硅晶体生长的螺旋位错机制184
3.3 气相组分在PVT法碳化硅晶体生长研究中的地位203
3.4 纯硅气相组分Sim的稳定构型与能量214
3.5 纯碳气相组分Cn的稳定构型与能量219
3.6 硅碳气相组分SimCn的稳定构型与能量222
3.7 气相组分SimCn构型的转变230
3.8 气相组分SimCn的化学序236
3.9 气相组分SimCn的相互作用244
3.10 气相组分SimCn在生长界面上的结晶249
符号说明和注解260
4 碳化硅晶体的结晶缺陷277
4.1 碳化硅晶体结晶缺陷概述277
4.2 碳化硅晶片结晶质量的整体评价281
4.3 碳化硅晶片几何特性和表面加工质量的整体评价291
4.4 多型共生缺陷297
4.5 镶嵌结构缺陷307
4.6 堆垛层错322
4.7 孔道与微管道341
符号说明和注解346