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第一章 锗和硅的化学提纯1

1.1 锗的提纯1

1.1.1 概述1

1.1.2 原料1

1.1.3 制法1

目录1

1.1.4 锗的性质8

1.1.5 鉴定纯度的化学方法及其灵敏度9

1.2 硅的提纯10

1.2.1 概述10

1.2.2 原料10

1.2.3 制法10

1.2.4 硅的性质16

2.1.1 分凝系数18

第二章 锗和硅的物理提纯18

2.1 提纯原理18

2.1.2 正常凝固法21

2.1.3 区域熔炼法22

2.2 锗27

2.3 硅29

第三章 单晶制备34

3.1 概述34

3.2 拉制法34

3.2.1 设备装置34

3.2.2 坩埚36

3.2.3 拉制速率36

3.2.4 籽晶轴的旋转速率36

3.2.5 保护气体36

3.2.7 杂质分布37

3.2.6 晶体中的应变37

3.3 区域熔化法38

3.3.1 设备装置39

3.3.2 熔区的移动速度40

3.3.3 杂质分布40

3.3.4 实际方法41

3.4 枝蔓晶体生长42

3.4.1 拉制方法42

3.4.2 杂质分布43

3.4.3 晶体中的位错43

3.5 从气相中生长晶体44

3.5.1 真空蒸发法44

3.5.2 化学分解法44

3.6.1 布里奇曼法46

3.6.2 从溶液中生长晶体46

3.6 其他方法46

第四章 杂质扩散48

4.1 扩散的基本概念48

4.2 扩散技术49

4.2.1 从固相或液相中扩散49

4.2.2 从气相中扩散52

4.3 扩散层的测量法54

4.3.1 扩散深度54

4.3.2 表面浓度的确定57

4.4 扩散技术中存在的问题58

4.4.1 平整的面58

4.4.2 热处理引起的电阻率变化62

4.4.3 表面浓度的控制64

第五章 锗和硅的电学性质68

5.1 能带结构68

5.2 杂质效应70

5.3 电学性质75

5.4 光学性质79

第六章 化合物半导体81

6.1 概述81

6.2 Ⅲ-Ⅴ族化合物半导体83

6.3 硫化物系半导体（硫化物、硒化物、碲化物）104

6.4 氧化物半导体108

6.5 碳化硅（SiC）和硅化物半导体109

6.6 光电材料概述109

6.6.1 光电导109

6.6.2 光生伏特效应111

6.6.3 电发光112

6.6.4 电子照相112

6.7 温差电材料概述113

6.8 特殊半导体（合有过渡金属的氧化物）114

6.9 特殊半导体（有机半导体）115

第七章 晶格缺陷118

7.1 空位、隙间原子119

7.2 异质原子120

7.2.1 异质原子掺入隙间位置120

7.2.2 Si中的氧120

7.3 位错121

7.3.1 金刚石类型晶格的位错121

7.3.2 位错的检验121

7.3.3 位错的产生和消灭123

7.4 交界面125

7.5 位错、交界面的电学性质128

7.5.1 位错对载流子浓度、迁移率的影响128

7.5.2 位错对载流子寿命的影响128

7.5.3 交界面的电学性质129

8.1.1 不通过俘获中心的复合131

第八章 复合和陷阱131

8.1 复合的形式131

8.1.2 通过俘获中心的复合132

8.2 辐射复合133

8.2.1 辐射复合的寿命133

8.2.2 辐射复合引起的发射光谱分布133

8.3 晶体缺陷和复合136

8.3.1 杂质效应136

8.3.2 位错效应139

8.3.3 其他缺陷的效应140

8.4 寿命的温度特性141

8.5 陷阱效应142

9.1.1 根据温差电动势判断的方法143

9.1.2 根据整流特性判断的方法143

9.1 导电类型的测量法143

第九章 半导体测量法143

9.2 电阻率的测量法144

9.2.1 二探针法144

9.2.2 四探针法144

9.2.3 高频法145

9.3 寿命测量法147

9.3.1 扩散长度法147

9.3.2 光电导衰减法149

9.3.3 光电导法149

9.3.4 高频法149

9.3.5 海因斯-肖克莱法150

9.3.6 其他测量法151

9.4 腐蚀坑的测量151

9.5 根据腐蚀坑确定晶轴153

参考资料154