图书介绍
现代半导体器件物理PDF|Epub|txt|kindle电子书版本网盘下载
- （美）施敏（S.M.Sze）主编；刘晓彦，贾霖等译 著
- 出版社： 北京：科学出版社
- ISBN：7030090594
- 出版时间：2001
- 标注页数：428页
- 文件大小：20MB
- 文件页数：443页
- 主题词：半导体器件(学科: 半导体物理) 半导体器件 半导体物理
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图书目录
中文版序1
中译本序1
执笔者简介1
引言1
1 双极晶体管9
1.1 引言9
1.2 双极晶体管的工作原理11
1.3 硅双极晶体管26
1.4 异质结双极晶体管31
1.5 双极晶体管模型51
1.6 总结与展望56
习题59
参考文献60
2 化合物半导体场效应晶体管63
2.1 引言63
2.2 肖特基势垒和欧姆接触65
2.3 GaAs MESFET69
2.4 异质结场效应晶体管(HFET)82
2.5 栅极漏电流89
2.6 新型化合物半导体FET90
2.7 总结与展望98
习题100
参考文献103
3.1 引言106
3 MOSFET及其相关器件106
3.2 MOSFET的按比例缩小107
3.3 CMOS/BiCMOS110
3.4 可靠性119
3.5 SOI和三维结构122
3.6 存储结构125
3.7 低压/低功耗器件131
3.8 总结与展望133
习题136
参考文献137
4.1 引言140
4 功率器件140
4.2 功率整流管141
4.3 功率MOSFET155
4.4 绝缘栅双极晶体管167
4.5 MOS栅控晶闸管179
4.6 碳化硅功率器件184
4.7 总结与展望185
习题186
参考文献186
5 量子效应和热电子器件192
5.1 引言192
5.2 共振隧穿(RT)结构194
5.3 热电子结构220
5.4 器件应用233
5.5 总结与展望245
附录5.A 态密度和费米积分247
附录5.B 在具有散射的超晶格中的漂移速度248
附录5.C 接触和超晶格249
附录5.D 相干晶体管基区输运250
习题251
参考文献254
6 有源微波二极管262
6.1 引言262
6.2 渡越时间二极管269
6.3 共振隧穿二极管282
6.4 转移电子器件288
6.5 总结与展望303
习题305
参考文献306
7 高速光子器件311
7.1 引言311
7.2 激光器的设计及其基本工作原理313
7.3 量子阱和应变层量子阱激光器325
7.4 高级激光器结构和光子集成电路(PIC)330
7.5 光接收器和光电集成电路341
附录7.A 线宽公式的推导350
7.6 总结与展望350
附录7.B 应变层单量子阱激光器的透光载流子面密度和微分增益的近似表达式353
习题354
参考文献356
8 太阳电池362
8.1 引言362
8.2 太阳光辐射和理想的能量转换效率364
8.3 硅太阳电池：单晶、多晶和非晶370
8.4 化合物半导体电池384
8.5 组件392
8.6 总结与展望398
习题399
参考文献402
附录A 符号表407
附录B 国际单位制(SI单位)409
附录C 单位词头409
附录D 希腊字母410
附录E 物理常数410
附录F 300K的晶格常数411
附录G 重要的元素和二元半导体性质412
附录H Si和GaAs在300K的性质413
附录I Ⅲ-V族三元化合物半导体的性质414
附录J SiO2和Si3N4在300K的性质416
索引417