图书介绍
微波器件电磁损伤规律研究PDF|Epub|txt|kindle电子书版本网盘下载
- 谭志良，马立云，宋培姣，谢鹏浩，王玉明著 著
- 出版社： 北京：科学出版社
- ISBN：9787030591128
- 出版时间：2018
- 标注页数：210页
- 文件大小：27MB
- 文件页数：219页
- 主题词：微波半导体器件－研究
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图书目录
第1章 概述1
1.1 微波器件简介1
1.2 国内外研究动态3
1.2.1 国外研究现状4
1.2.2 国内研究现状8
第2章 典型微波半导体器件介绍11
2.1 PN结二极管11
2.1.1 基本结构11
2.1.2 零偏12
2.1.3 反偏18
2.1.4 PN结电流22
2.1.5 结击穿30
2.2 双极型晶体管33
2.2.1 基本结构33
2.2.2 放大工作状态34
2.2.3 电流增益35
2.3 肖特基接触场效应晶体管37
2.3.1 基本结构38
2.3.2 夹断电压和阈值电压39
2.3.3 电流-电压特性40
2.3.4 截止频率44
2.4 金属氧化物场效应晶体管46
2.4.1 基本结构和工作原理46
2.4.2 非平衡状态48
2.4.3 阈值电压49
2.4.4 电流基本特性51
第3章 微波半导体器件电磁损伤机理60
3.1 典型电磁脉冲及其效应60
3.1.1 静电放电电磁脉冲60
3.1.2 雷电电磁脉冲61
3.1.3 核电磁脉冲63
3.1.4 高功率微波68
3.1.5 超宽带电磁脉冲69
3.1.6 快沿方波73
3.2 微波半导体器件的失效模式75
3.2.1 明显失效75
3.2.2 潜在性失效79
3.3 微波半导体器件的损伤机理79
3.3.1 热二次击穿与体击穿80
3.3.2 金属导电层熔融89
3.3.3 氧化层和介质击穿90
3.4 微波半导体器件的失效判据91
3.4.1 负微分电阻判据91
3.4.2 失效时间判据92
3.4.3 热击穿判据93
第4章 典型微波半导体器件电磁损伤仿真94
4.1 器件仿真软件简介94
4.2 PIN二极管电磁损伤仿真95
4.2.1 PIN二极管仿真建模95
4.2.2 PIN二极管电热耦合分析计算流程96
4.2.3 反向大电压作用下PIN管仿真分析97
4.3 双极型晶体管电磁损伤仿真103
4.3.1 双极型晶体管仿真建模103
4.3.2 双极型晶体管仿真分析104
4.4 金属氧化物场效应晶体管电磁损伤仿真119
4.4.1 金属氧化物场效应晶体管仿真建模119
4.4.2 金属氧化物场效应晶体管仿真分析121
4.5 肖特基接触场效应晶体管电磁损伤仿真133
4.5.1 肖特基接触场效应晶体管的结构特征和工作原理133
4.5.2 肖特基接触场效应晶体管建模134
4.5.3 肖特基接触场效应晶体管仿真136
第5章 微波半导体器件损伤试验150
5.1 试验设备及夹具150
5.1.1 试验设备150
5.1.2 试验夹具153
5.2 试验方法163
5.3 典型微波半导体器件试验和结果分析164
5.3.1 ESD注入试验164
5.3.2 ESD注入试验结果分析167
5.3.3 方波脉冲注入试验181
5.3.4 方波注入试验结果与分析183
第6章 微波半导体器件损伤建模195
6.1 旺希-贝尔模型195
6.2 电热物理模型198
6.3 基于范数的损伤模型201
6.3.1 范数的数学概念简述201
6.3.2 典型的电磁范数202
6.3.3 杜哈梅尔积分204
6.3.4 电磁脉冲效应中范数分析方法204
参考文献209