图书介绍
《半导体器件平面工艺》光刻PDF|Epub|txt|kindle电子书版本网盘下载
- 上海无线电十七厂组织编写 著
- 出版社： 上海：上海人民出版社
- ISBN：15·4·194
- 出版时间：1971
- 标注页数：72页
- 文件大小：4MB
- 文件页数：78页
- 主题词：
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图书目录
第一章 概述1
1-1 光刻技术概况1
目录1
1-2 光刻工艺过程3
第二章 光致抗蚀剂6
2-1 光致抗蚀剂的性能6
2-2 光致抗蚀剂的配制9
2-3 光致抗蚀剂的种类11
3-1 硅片表面清洁处理的目的14
第三章 硅片表面清洁处理14
3-2 硅片表面清洁处理的方法15
第四章 涂敷感光胶18
4-1 涂胶的方法和设备18
4-2 改进涂胶效果的几种措施22
第五章 抗蚀剂膜的干燥（前烘）25
第六章 曝光27
6-1 曝光工艺过程27
6-2 光致抗蚀剂的分辨率29
6-3 影响分辨率的几种因素30
第七章 显影35
7-1 显影的要求35
7-2 显影对光刻质量的影响36
第八章 抗蚀剂膜的坚固（坚膜）39
第九章 腐蚀40
9-1 腐蚀的作用40
9-2 腐蚀液的选择41
9-3 二氧化硅的腐蚀44
9-4 硅的腐蚀50
9-5 铝等金属的腐蚀51
第十章 抗蚀剂膜的去除（去胶）54
第十一章 光刻中常见的弊病及防止改进的措施55
第十二章 光刻技术的发展动态63
12-1 大面积光刻63
12-2 明室操作65
12-3 投影光刻65
12-4 电子束光刻和离子束掺杂68